Monte Carlo study of the dynamic performance of a 100-nm-gate InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Vasallo, B.G.
  2. Wichmann, N.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Cappy, A.
  6. González, T.
  7. Pardo, D.
  8. Mateos, J.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2010

Ausgabe: 57

Nummer: 10

Seiten: 2572-2578

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2010.2058633 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus