Monte Carlo study of the dynamic performance of a 100-nm-gate InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Vasallo, B.G.
  2. Wichmann, N.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Cappy, A.
  6. González, T.
  7. Pardo, D.
  8. Mateos, J.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2010

Alea: 57

Zenbakia: 10

Orrialdeak: 2572-2578

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2010.2058633 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus