Enhancement of sub-terahertz detection by drain-to-source biasing on strained silicon MODFET devices

  1. Meziani, Y.M.
  2. Morozov, S.
  3. Notario, J.A.D.
  4. Maremyanin, K.
  5. Velázquez, J.E.
  6. Fobelets, K.
Actes:
Journal of Physics: Conference Series

ISSN: 1742-6596,  1742-6588

Any de publicació: 2015

Volum: 647

Número: 1

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1088/1742-6596/647/1/012007 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus