Impact ionization and band-to-band tunneling in InxGa1-xAs PIN ungated devices: A Monte Carlo analysis

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2018

Volumen: 123

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.5007858 GOOGLE SCHOLAR
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