High magnetic field studies of 1/f noise in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors

  1. Dyakonova, N.
  2. Rumyantsev, S.L.
  3. Shur, M.S.
  4. Meziani, Y.
  5. Pascal, F.
  6. Hoffmann, A.
  7. Fareed, Q.
  8. Hu, X.
  9. Bilenko, Yu.
  10. Gaska, R.
  11. Knap, W.
Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6300,  1862-6319

Any de publicació: 2005

Volum: 202

Número: 4

Pàgines: 677-679

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1002/PSSA.200460472 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus