High magnetic field studies of 1/f noise in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors

  1. Dyakonova, N.
  2. Rumyantsev, S.L.
  3. Shur, M.S.
  4. Meziani, Y.
  5. Pascal, F.
  6. Hoffmann, A.
  7. Fareed, Q.
  8. Hu, X.
  9. Bilenko, Yu.
  10. Gaska, R.
  11. Knap, W.
Zeitschrift:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6300,  1862-6319

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 202

Nummer: 4

Seiten: 677-679

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1002/PSSA.200460472 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus