Bilayer h-BN barriers for tunneling contacts in fully-encapsulated monolayer MoSe2 field-effect transistors
- Ghiasi, T.S.
- Quereda, J.
- Van Wees, B.J.
Zeitschrift:
2D Materials
ISSN: 2053-1583
Datum der Publikation: 2019
Ausgabe: 6
Nummer: 1
Art: Artikel
