Temperature and Gate-Length Dependence of Subthreshold RF Detection in GaN HEMTs

  1. Paz-Martínez, G.
  2. Íñiguez-De-la-torre, I.
  3. Sánchez-Martín, H.
  4. Novoa-López, J.A.
  5. Hoel, V.
  6. Cordier, Y.
  7. Mateos, J.
  8. González, T.
Revista:
Sensors

ISSN: 1424-8220

Any de publicació: 2022

Volum: 22

Número: 4

Tipus: Article

DOI: 10.3390/S22041515 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus