Temperature and Gate-Length Dependence of Subthreshold RF Detection in GaN HEMTs

  1. Paz-Martínez, G.
  2. Íñiguez-De-la-torre, I.
  3. Sánchez-Martín, H.
  4. Novoa-López, J.A.
  5. Hoel, V.
  6. Cordier, Y.
  7. Mateos, J.
  8. González, T.
Zeitschrift:
Sensors

ISSN: 1424-8220

Datum der Publikation: 2022

Ausgabe: 22

Nummer: 4

Art: Artikel

DOI: 10.3390/S22041515 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

Ziele für nachhaltige Entwicklung