Tesis doctoral

  1. Analisis del ruido electronico en materiales y dispositivos semiconductores unipolares mediante el metodo de monte carlo 1994

    Universidad de Salamanca

Tesis dirigidas (6)

  1. Simulación, fabricación y caracterización de diodos de barrera Schottky de nitruro de galio para aplicaciones en el rango de sub-terahercios 2023

    Universidad de Salamanca

    Orfao E Vale Tabernero, Beatriz

  2. High-frequency response and thermal effects in gan diodes and transistors: modeling and experimental characterization 2020

    Universidad de Salamanca

    Sánchez Martín, Héctor

  3. Nanodispositivos de gan para generación de señales de thz. Simulación monte carlo y análisis experimental 2012

    Universidad de Salamanca

    Íñiguez de la Torre Mulas, Ana

  4. Análisis de efectos de carga superficial en nanodispositivos semiconductores modelizados mediante simulaciones Monte Carlo 2008

    Universidad de Salamanca

    Íñiguez de la Torre Mulas, Ignacio

  5. Transporte electronico en estructuras de heterounion inaias/ingaas: hemts y dispositivos balisticos de dimensiones nanaometricas 2005

    Universidad de Salamanca

    GARCIA VASALLO, BEATRIZ

  6. Modelizacion microscopica del ruido electronico en estructuras mesfet y hemt submicrometricas. Analisis numerico y experimental 1997

    Universidad de Salamanca

    MATEOS LÓPEZ, JAVIER

Tribunales de tesis (12)

  1. Presidente del tribunal

    Estudio de la influencia de las trampas en el comportamiento DC y AC de nanodiodos gan a temperaturas criogénicas y su aplicación como detectores de microondas 2023

    Universidad de Salamanca

    Pérez Martín, Elsa

  2. Presidente del tribunal

    Desarrollo de herramientas para la simulación de dispositivos basados en semiconductores magnéticos 2013

    Universidade de Santiago de Compostela

    Comesaña Figueroa, Enrique

  3. Presidente del tribunal

    Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia 2010

    Universidad de Salamanca

    Pascual, Elena

  4. Presidente del tribunal

    Simulación de dispositivos espintrónicos usando el método de Monte Carlo 2010

    Universitat Autònoma de Barcelona

    Lopez Silva, Hender

  5. Vocal del tribunal

    Desarrollo de herramientas para la simulación de transistores mosfet 2009

    Universidade de Santiago de Compostela

    Aldegunde Rodríguez, Manuel Antonio

  6. Vocal del tribunal

    Caracterización de dieléctricos de alta permitividad crecidos mediante ald, hprs y ecr-cvd 2006

    Universidad de Valladolid

    García García, Héctor

  7. Secretario del tribunal

    Quantum wires in one dimension. Disorder, electronic transport and dissipation 2005

    Universidad de Salamanca

    RODRIGUEZ GONZALEZ, ALBERTO

  8. Vocal del tribunal

    Análisis de los fenómenos de transporte y rúido electrónico en transistores MOSFET y SOI submicrométricos 2003

    Universidad de Salamanca

    RENGEL ESTÉVEZ, RAÚL

  9. Vocal del tribunal

    Estudio de las propiedades eléctricas de un gas bidimensional de huecos en estructuras de SI y SIGE 2000

    Universidad de Granada

    RODRIGUEZ BOLIVAR, SALVADOR

  10. Vocal del tribunal

    Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd 2000

    Universidad de Valladolid

    PELAEZ CARRANZA ROSA M.

  11. Secretario del tribunal

    Análisis del transporte de carga y de los fenómenos de ruido electrónico en estructuras si/si1-xgex bipolares 1997

    Universidad de Salamanca

    MARTIN MARTINEZ M. JESUS

  12. Vocal del tribunal

    Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores 1995

    Universidad de Granada

    PALMA LOPEZ ALBERTO JOSE