3D Monte Carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices

  1. Dollfus, P.
  2. Velázquez, J.E.
  3. Bournel, A.
  4. Galdin-Retailleau, S.
Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 3

Nummer: 3-4

Seiten: 311-315

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S10825-004-7067-4 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus