3D Monte Carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices

  1. Dollfus, P.
  2. Velázquez, J.E.
  3. Bournel, A.
  4. Galdin-Retailleau, S.
Aldizkaria:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 3

Zenbakia: 3-4

Orrialdeak: 311-315

Mota: Artikulua

DOI: 10.1007/S10825-004-7067-4 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus