3D Monte Carlo analysis of discrete dopant effects on electron noise in Si devices

  1. Dollfus, P.
  2. Velázquez, J.E.
  3. Bournel, A.
  4. Galdin-Retailleau, S.
Revista:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025

Ano de publicación: 2004

Volume: 3

Número: 3-4

Páxinas: 311-315

Tipo: Artigo

DOI: 10.1007/S10825-004-7067-4 GOOGLE SCHOLAR
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