Temperature dependence of submicrometer strained-Si surface channel n-type MOSFETs in DT mode

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Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Año de publicación: 2004

Volumen: 25

Número: 5

Páginas: 334-336

Tipo: Carta

DOI: 10.1109/LED.2004.827286 GOOGLE SCHOLAR
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