DC performance of deep submicrometer Schottky-gated n-channel Si:SiGe HFETs at low temperatures

  1. Gaspari, V.
  2. Fobelets, K.
  3. Velazquez-Perez, J.E.
  4. Hackbarth, T.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 52

Nummer: 9

Seiten: 2067-2074

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2005.855059 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus