DC performance of deep submicrometer Schottky-gated n-channel Si:SiGe HFETs at low temperatures

  1. Gaspari, V.
  2. Fobelets, K.
  3. Velazquez-Perez, J.E.
  4. Hackbarth, T.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2005

Alea: 52

Zenbakia: 9

Orrialdeak: 2067-2074

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2005.855059 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus