Quasiballistic transport in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: Experimental and Monte Carlo analysis

  1. Łusakowski, J.
  2. Martínez, M.J.M.
  3. Rengel, R.
  4. González, T.
  5. Tauk, R.
  6. Meziani, Y.M.
  7. Knap, W.
  8. Boeuf, F.
  9. Skotnicki, T.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2007

Ausgabe: 101

Nummer: 11

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2739307 GOOGLE SCHOLAR