Comparison between the noise performance of double- and single-gate InP-based HEMTs

  1. Vasallo, B.G.
  2. Wichmann, N.
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  5. Cappy, A.
  6. González, T.
  7. Pardo, D.
  8. Mateos, J.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2008

Ausgabe: 55

Nummer: 6

Seiten: 1535-1540

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2008.921982 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus