Comparison between the noise performance of double- and single-gate InP-based HEMTs

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Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2008

Volumen: 55

Número: 6

Páginas: 1535-1540

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2008.921982 GOOGLE SCHOLAR

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