Monte carlo analysis of impact ionization in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors
- Vasallo, B.G.
- Rodilla, H.
- González, T.
- Lefebvre, E.
- Moschetti, G.
- Grahn, J.
- Mateos, J.
ISSN: 1898-794X, 0587-4246
Any de publicació: 2011
Volum: 119
Número: 2
Pàgines: 222-224
Tipus: Aportació congrés