Monte carlo analysis of impact ionization in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
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  6. Grahn, J.
  7. Mateos, J.
Zeitschrift:
Acta Physica Polonica A

ISSN: 1898-794X,  0587-4246

Datum der Publikation: 2011

Ausgabe: 119

Nummer: 2

Seiten: 222-224

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.12693/APHYSPOLA.119.222 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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