Monte carlo analysis of impact ionization in isolated-gate InAs/AlSb high electron mobility transistors

  1. Vasallo, B.G.
  2. Rodilla, H.
  3. González, T.
  4. Lefebvre, E.
  5. Moschetti, G.
  6. Grahn, J.
  7. Mateos, J.
Aldizkaria:
Acta Physica Polonica A

ISSN: 1898-794X,  0587-4246

Argitalpen urtea: 2011

Alea: 119

Zenbakia: 2

Orrialdeak: 222-224

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.12693/APHYSPOLA.119.222 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus