An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
  4. Rengel, R.
  5. Martín, M.J.
  6. Velázquez, J.E.
Zeitschrift:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 13

Nummer: 1-4

Seiten: 399-404

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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