An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
  4. Rengel, R.
  5. Martín, M.J.
  6. Velázquez, J.E.
Revista:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Ano de publicación: 2001

Volume: 13

Número: 1-4

Páxinas: 399-404

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor