An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
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  6. Velázquez, J.E.
Revue:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Année de publication: 2001

Volumen: 13

Número: 1-4

Pages: 399-404

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccès ouvert editor
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