An ionised-impurity scattering model for 3D Monte Carlo device simulation with discrete impurity distribution

  1. Barraud, S.
  2. Dollfus, P.
  3. Galdin, S.
  4. Rengel, R.
  5. Martín, M.J.
  6. Velázquez, J.E.
Aldizkaria:
VLSI Design

ISSN: 1065-514X

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 13

Zenbakia: 1-4

Orrialdeak: 399-404

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1155/2001/96951 GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor
Datuen iturria: Scopus