High magnetic field studies of 1/f noise in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors

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Revista:
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

ISSN: 1862-6300,  1862-6319

Año de publicación: 2005

Volumen: 202

Número: 4

Páginas: 677-679

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSA.200460472 GOOGLE SCHOLAR
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