Bilayer h-BN barriers for tunneling contacts in fully-encapsulated monolayer MoSe2 field-effect transistors

  1. Ghiasi, T.S.
  2. Quereda, J.
  3. Van Wees, B.J.
Revista:
2D Materials

ISSN: 2053-1583

Año de publicación: 2019

Volumen: 6

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/2053-1583/AADF47 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
Fuente de los datos: Scopus