Temperature and Gate-Length Dependence of Subthreshold RF Detection in GaN HEMTs

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Revista:
Sensors

ISSN: 1424-8220

Año de publicación: 2022

Volumen: 22

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/S22041515 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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