Comprehensive model for ideal reverse leakage current components in Schottky barrier diodes tested in GaN-on-SiC samples

  1. Orfao, B.
  2. Di Gioia, G.
  3. Vasallo, B.G.
  4. Pérez, S.
  5. Mateos, J.
  6. Roelens, Y.
  7. Frayssinet, E.
  8. Cordier, Y.
  9. Zaknoune, M.
  10. González, T.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Any de publicació: 2022

Volum: 132

Número: 4

Tipus: Article

DOI: 10.1063/5.0100426 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus