100nm InAlAs/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

  1. Wichmann, N
  2. Duszynski, I
  3. Bollaert, S
  4. Mateos, J
  5. Wallart, X
  6. Cappy, A
Llibre:
IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2004, TECHNICAL DIGEST

ISBN: 0-7803-8684-1

Any de publicació: 2004

Pàgines: 1023-1026

Congrés: 50th IEEE International Electron Devices Meeting

Tipus: Aportació congrés

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS