100nm InAlAs/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate

  1. Wichmann, N
  2. Duszynski, I
  3. Bollaert, S
  4. Mateos, J
  5. Wallart, X
  6. Cappy, A
Liburua:
IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2004, TECHNICAL DIGEST

ISBN: 0-7803-8684-1

Argitalpen urtea: 2004

Orrialdeak: 1023-1026

Biltzarra: 50th IEEE International Electron Devices Meeting

Mota: Biltzar ekarpena

GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: WoS