A Deep Learning-Monte Carlo Combined Prediction of Side-Effect Impact Ionization in Highly Doped GaN Diodes

  1. Garcia-Sanchez, S.
  2. Rengel, R.
  3. Perez, S.
  4. Gonzalez, T.
  5. Mateos, J.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 1557-9646,  0018-9383

Argitalpen urtea: 2023

Alea: 70

Zenbakia: 6

Orrialdeak: 2981-2987

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/TED.2023.3265625 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus