Departament: FÍSICA APLICADA

Escola de doctorat: FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA

Àrea: Electrònica

Grup de recerca: NANODISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE ALTA FRECUENCIA

Correu: elenapc@usal.es

Doctora per la Universidad de Salamanca amb la tesi Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia 2010. Dirigida per Dra. María Jesús Martín Martínez, Dr. Raúl Rengel Estévez.