Departamento: FÍSICA APLICADA

Escuela de doctorado: FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA

Área: Electrónica

Grupo de investigación: NANODISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE ALTA FRECUENCIA

Correo: elenapc@usal.es

Doutora pola Universidad de Salamanca coa tese Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia 2010. Dirixida por Dra. María Jesús Martín Martínez, Dr. Raúl Rengel Estévez.