Département: FÍSICA APLICADA

École doctorale: FÍSICA APLICADA Y TECNOLOGÍA

Domaine: Electrónica

Groupe de recherche: NANODISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE ALTA FRECUENCIA

Email: elenapc@usal.es

Docteure à l Universidad de Salamanca avec la thèse Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia 2010. Dirigée par Dra. María Jesús Martín Martínez, Dr. Raúl Rengel Estévez.