Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

  1. Pascual, Elena
Dirigida per:
  1. María Jesús Martín Martínez Directora
  2. Raúl Rengel Estévez Director

Universitat de defensa: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 11 de de juny de 2010

Tribunal:
  1. Tomás González Sánchez President
  2. Beatriz García Vasallo Secretària
  3. Antonio García Loureiro Vocal
  4. David Jimenez Jimenez Vocal
  5. Andrés Godoy Medina Vocal
Departament:
  1. FÍSICA APLICADA

Tipus: Tesi

Teseo: 306529 DIALNET lock_openGREDOS editor

Resum

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.