Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

  1. Pascual, Elena
Supervised by:
  1. María Jesús Martín Martínez Director
  2. Raúl Rengel Estévez Director

Defence university: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 11 June 2010

Committee:
  1. Tomás González Sánchez Chair
  2. Beatriz García Vasallo Secretary
  3. Antonio García Loureiro Committee member
  4. David Jimenez Jimenez Committee member
  5. Andrés Godoy Medina Committee member
Department:
  1. FÍSICA APLICADA

Type: Thesis

Teseo: 306529 DIALNET lock_openGREDOS editor

Abstract

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.