Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

  1. Pascual, Elena
Dirigée par:
  1. María Jesús Martín Martínez Directrice
  2. Raúl Rengel Estévez Directeur

Université de défendre: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 11 juin 2010

Jury:
  1. Tomás González Sánchez President
  2. Beatriz García Vasallo Secrétaire
  3. Antonio García Loureiro Rapporteur
  4. David Jimenez Jimenez Rapporteur
  5. Andrés Godoy Medina Rapporteur
Département:
  1. FÍSICA APLICADA

Type: Thèses

Teseo: 306529 DIALNET lock_openGREDOS editor

Résumé

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.