Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia
- María Jesús Martín Martínez Doktormutter
- Raúl Rengel Estévez Doktorvater
Universität der Verteidigung: Universidad de Salamanca
Fecha de defensa: 11 von Juni von 2010
- Tomás González Sánchez Präsident
- Beatriz García Vasallo Sekretärin
- Antonio García Loureiro Vocal
- David Jimenez Jimenez Vocal
- Andrés Godoy Medina Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.