Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia

  1. Pascual, Elena
Zuzendaria:
  1. María Jesús Martín Martínez Zuzendaria
  2. Raúl Rengel Estévez Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad de Salamanca

Fecha de defensa: 2010(e)ko ekaina-(a)k 11

Epaimahaia:
  1. Tomás González Sánchez Presidentea
  2. Beatriz García Vasallo Idazkaria
  3. Antonio García Loureiro Kidea
  4. David Jimenez Jimenez Kidea
  5. Andrés Godoy Medina Kidea
Saila:
  1. FÍSICA APLICADA

Mota: Tesia

Teseo: 306529 DIALNET lock_openGREDOS editor

Laburpena

[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.