Physically based comparison of current noise analysis of Si BJT's and SiGe HBT's

  1. Martin-Martinez, M.J.
  2. Pardo, D.
Actes:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9782863322482

Any de publicació: 2000

Pàgines: 148-151

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/ESSDERC.2000.194736 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus