Physically based comparison of current noise analysis of Si BJT's and SiGe HBT's

  1. Martin-Martinez, M.J.
  2. Pardo, D.
Konferenzberichte:
European Solid-State Device Research Conference

ISSN: 1930-8876

ISBN: 9782863322482

Datum der Publikation: 2000

Seiten: 148-151

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/ESSDERC.2000.194736 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus