On the high-frequency noise figures of merit and microscopic channel noise sources in fabricated 90 nm PD SOI MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
  3. Pailloncy, G.
  4. Dambrine, G.
  5. Danneville, F.
Actes:
AIP Conference Proceedings

ISSN: 0094-243X,  1551-7616

ISBN: 9780735402676

Any de publicació: 2005

Volum: 780

Pàgines: 745-748

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1063/1.2036857 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus