Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Wichmann, N.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Wallart, X.
  6. Cappy, A.
  7. González, T.
  8. Pardo, D.
  9. Mateos, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Any de publicació: 2009

Volum: 94

Número: 10

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.3095482 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus