Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Wichmann, N.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Wallart, X.
  6. Cappy, A.
  7. González, T.
  8. Pardo, D.
  9. Mateos, J.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 94

Nummer: 10

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.3095482 GOOGLE SCHOLAR

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