Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor

  1. Wichmann, N.
  2. Vasallo, B.G.
  3. Bollaert, S.
  4. Roelens, Y.
  5. Wallart, X.
  6. Cappy, A.
  7. González, T.
  8. Pardo, D.
  9. Mateos, J.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2009

Volumen: 94

Número: 10

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3095482 GOOGLE SCHOLAR

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