Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
  3. Danneville, F.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Any de publicació: 2011

Volum: 32

Número: 1

Pàgines: 72-74

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/LED.2010.2082488 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus