Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
  3. Danneville, F.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2011

Volume: 32

Número: 1

Páxinas: 72-74

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1109/LED.2010.2082488 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus