Microscopic modeling of RF noise in laterally asymmetric channel MOSFETs

  1. Rengel, R.
  2. Martín, M.J.
  3. Danneville, F.
Aldizkaria:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Argitalpen urtea: 2011

Alea: 32

Zenbakia: 1

Orrialdeak: 72-74

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1109/LED.2010.2082488 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus